1、招标条件
项目概况:满足12英寸集成电路生产企业的28nm/14nm工艺研发和量产要求，射频氮化钽、铜溅射设备
用于在300mm硅片上沉积氮化钛、钽、铝薄膜, 满足28nm、14nm的工艺研发、量产工艺需
用于在300mm硅片上沉积钴薄膜，满足14nm的工艺研发、量产工艺需求
用于在300mm硅片上沉积钛、氮化钛薄膜, 满足28nm的工艺研发、量产工艺需求
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于化学法氮化钛沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于合金溅射设备
满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛原子层沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm和 14nm的工艺研发和量产要求，用于原子层沉积氮化钽设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛、钛、铝溅射设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于低压射频氮化钛沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于射频溅射钛铝沉积设备
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
项目已具备招标条件的说明:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:0613-174022084763/05
招标项目名称:上海华力集成电路制造有限公司化学法氮化钛沉积设备
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 射频氮化钽、铜溅射设备 | 6台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm/14nm工艺研发和量产要求，射频氮化钽、铜溅射设备 | |
| 2 | 氮化钛、钽、铝溅射设备 | 2台 | 用于在300mm硅片上沉积氮化钛、钽、铝薄膜, 满足28nm、14nm的工艺研发、量产工艺需 | |
| 3 | 选择性化学法钴沉积设备 | 1台 | 用于在300mm硅片上沉积钴薄膜，满足14nm的工艺研发、量产工艺需求 | |
| 4 | 钛、氮化钛溅射设备 | 1台 | 用于在300mm硅片上沉积钛、氮化钛薄膜, 满足28nm的工艺研发、量产工艺需求 | |
| 5 | 化学法氮化钛沉积设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于化学法氮化钛沉积设备 | |
| 6 | 合金溅射设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于合金溅射设备 | |
| 7 | 氮化钛原子层沉积设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛原子层沉积设备 | |
| 8 | 原子层沉积氮化钽设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm和 14nm的工艺研发和量产要求，用于原子层沉积氮化钽设备 | |
| 9 | 氮化钛、钛、铝溅射设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于氮化钛、钛、铝溅射设备 | |
| 10 | 低压射频氮化钛沉积设备 | 2台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于低压射频氮化钛沉积设备 | |
| 11 | 射频溅射钛铝沉积设备 | 1台 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于射频溅射钛铝沉积设备 |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1）投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；
2）投标人或投标货物的制造商须具备向12英寸集成电路制造企业提供此类设备的供货和安装调试经验；
3) 法律、行政法规规定的其他条件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2018-01-05
招标文件领购结束时间:2018-01-12
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购地点：上海市长寿路285号恒达广场16楼（上海机电设备招标有限公司）
招标文件售价:免费
5、投标文件的递交
投标截止时间（开标时间）:2018-01-29 09:30
投标文件
项目负责人：李阳（女士）
手机：13683233285
电话：010-51957458
QQ：1211306049
邮件：1211306049@qq.com
