1、招标条件
项目概况:满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于可流动性化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于无定形碳薄膜沉积设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于高深宽比填孔薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于深沟槽填孔薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于应力氮化硅薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于应力氮化硅薄膜设备
满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于高密度等离子体化学气相淀积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于超低介电常数薄膜化学气相沉积
满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于超低介电薄膜紫外处理
满足12英寸集成电路生产企业28nm\14nm工艺研发和量产要求，用于锗硅外延生长薄膜化学气相沉积
资金到位或资金来源落实情况:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
项目已具备招标条件的说明:现招标人资金已到位，具备了招标条件。
2、招标内容
招标项目编号:0613-174022084775/07
招标项目名称:上海华力集成电路制造有限公司高密度等离子体化学气相淀积设备
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | 可流动性化学气相沉积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于可流动性化学气相沉积 | |
| 2 | 无定形碳薄膜沉积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于无定形碳薄膜沉积设备 | |
| 3 | 高深宽比填孔薄膜设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于高深宽比填孔薄膜设备 | |
| 4 | 深沟槽填孔薄膜设备 | 3 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于深沟槽填孔薄膜设备 | |
| 5 | 应力氮化硅薄膜设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于应力氮化硅薄膜设备 | |
| 6 | 应力氮化硅薄膜设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于应力氮化硅薄膜设备 | |
| 7 | 高密度等离子体化学气相淀积设备 | 1 | 满足12英寸集成电路生产企业的14nm工艺研发和量产要求，用于高密度等离子体化学气相淀积 | |
| 8 | 等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积设备（前段） | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于等离子体增强方式以硅酸四乙酯作反应物的二氧化硅薄膜化学气相沉积 | |
| 9 | 超低介电常数薄膜化学气相沉积设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于超低介电常数薄膜化学气相沉积 | |
| 10 | 超低介电薄膜紫外处理设备 | 2 | 满足12英寸集成电路生产企业的28nm工艺研发和量产要求，用于超低介电薄膜紫外处理 | |
| 11 | 锗硅外延生长薄膜化学气相沉积设备 | 4 | 满足12英寸集成电路生产企业28nm\14nm工艺研发和量产要求，用于锗硅外延生长薄膜化学气相沉积 |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1）投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织；
2）投标人或投标货物的制造商须具备向12英寸集成电路制造企业提供此类设备的供货和安装调试经验；
3) 法律、行政法规规定的其他条件。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2018-01-06
招标文件领购结束时间:2018-01-12
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购地点：上海市长寿路285号恒达广场16楼（上海机电设备招标有限公司）
招标文件售价:￥1000/$150
5、投标文件的递交
投标截止时间（开标时间）:2018-01-29 09:00
投标文件
项目负责人：李阳（女士）
手机：13683233285
电话：010-51957458
QQ：1211306049
邮件：1211306049@qq.com
