1、招标条件
项目概况:本次招标内容为： （1）SOG Coating涂布机：1台/套； （2）炉管：1台/套； （3）二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备Furnance(Anneal&Thermal OX) ：1台/套； （4）高温氮化硅介质膜热生长设备Furnance（LPCVD SiN）：1台/套； （5）氮化硅和氧化硅刻蚀设备Oxide/SiN etch：1台/套；(6)干法去胶设备。
资金到位或资金来源落实情况:本次招标所需的资金来源已经落实。
项目已具备招标条件的说明:拟采购的设备已通过进口论证。
2、招标内容
招标项目编号:0705-18411810181a
招标项目名称:张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目
项目实施地点:中国上海市
招标产品列表(主要设备):
| 序号 | 产品名称 | 数量 | 简要技术规格 | 备注 |
| 1 | SOG Coating涂布机 | 1 | 涂布速度：0-30m/min 有效涂布宽度：600mm 涂布轮尺寸：Ф205×720mm 动力：2hp | |
| 2 | 炉管 | 1 | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 退火温度片内非均匀性：WIW(%) <2.5% 退火温度片与片非均匀性：WTW(%)<2.0% 平均无故障率：(MTBF) >=96 | |
| 3 | 二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备Furnance(Anneal&Thermal OX) | 1 | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 膜厚片内非均匀性：<2.0% 膜厚片与片非均匀性：<2.0% 二氧化硅膜厚范围：50埃至2微米 二氧化硅膜折射率：1.46±3% 石英舟承片量：大于150 平均无故障率：>93% | |
| 4 | 高温氮化硅介质膜热生长设备Furnance（LPCVD SiN） | 1 | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 膜厚片内非均匀性：<2.5% 膜厚片与片非均匀性：<2% 氮化硅膜厚范围：50埃至1微米 氮化硅膜折射率：2.01±3% 石英舟承片量：大于150 平均无故障率：>93% | |
| 5 | 氮化硅和氧化硅刻蚀设备Oxide/SiN etch | 1 | 晶圆尺寸：200毫米 被刻蚀材料：氮化硅和氧化硅 二氧化硅刻蚀速率：>每分钟400纳米 二氧化硅刻蚀速率非均匀性：<5% 二氧化硅刻蚀对光刻胶选择比：>5:1 二氧化硅刻蚀对氮化硅选择比：>20:1 二氧化硅刻蚀形貌：88~90o 氮硅刻蚀速率：>每分钟300纳米 氮化硅刻蚀速率非均匀性：<3% 氮化硅刻蚀对光刻胶选择比：>3:1 氮化硅刻蚀对硅选择比：>5:1 平均无故障率：>87% | |
| 6 | 干法去胶设备 | 1 | 反应腔：单片单面 晶圆尺寸：200毫米 等离子体源模式：电感耦合等离子体或downstream微波 去胶速率：>每分钟5.0微米 去胶速率非均匀性：<3% 去胶对二氧化硅选择比：>2500:1 |
3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1） 投标人须是投标货物的制造商，或是再制造企业，或是取得有效授权的代理商。(若是再制造企业，应当具备再制造生产所需的必备条件（见质检检函[2008]109号“关于规范进口再制造用途旧机电产品检验监管工作的通知”的附件“申请再制造企业登记必备条件”），并向所在地检验检疫机构申请登记；若是代理商，须提供投标由投标货物制造商或再制造企业出具的针对本项目的书面授权书。)；
2） 投标货物可以是全新设备，也可以是再制造后的旧设备，投标人必须在其投标文件中对投标货物明确说明（若为旧设备，须提供设备的生产年份和序列号，且须符合国家建设循环经济和再制造产业发展的要求，通过先进工艺技术和产业化生产可以恢复原设计性能。）；
3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部指定的为机电产品国际招标投标活动提供公共服务和行政监督的网上平台（以下简称招标网，网址为： //）上完成有效注册；
4） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织（须提供营业执照或其他相关登记证明文件）；
5） 投标人近三年内在经营活动中没有重大违法记录，无利用不正当竞争手段骗取中标，无重大经济刑事案件，未因自身的任何违约、违法或违反商业道德的行为而导致合同解除或作为被告败诉（须提供承诺书）；
6） 投标人应具有履行合同所必须的设备和半导体专业技术能力，投标人须具有SOG Coating涂布机、炉管、二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备、高温氮化硅介质膜热生长设备、氮化硅和氧化硅刻蚀设备、干法去胶设备的整机销售及装机经验（须提供机台合同复印件或验收证明文件或用户证明文件）；
7） 投标人提供的投标货物必须为自有机台，须提供自有机台真实性证明文件（机台所属证明，down-payment，不接受LOI），投标人须在招标人提出要求后的3天内接受招标人对机台真实性的现场查验；
8） 本项目不接受联合体投标。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间:2018-07-10
招标文件领购结束时间:2018-07-17
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购
项目负责人：李阳（女士）
手机：13683233285
电话：010-51957458
QQ：1211306049
邮件：1211306049@qq.com
